Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/19838
Title: Realização de chaves RF baseadas na tecnologia Memristor.
Other Titles: Realization of RF keys based on Memristor technology.
???metadata.dc.creator???: SILVA, Thais Luana Vidal de Negreiros da.
???metadata.dc.contributor.advisor1???: FREIRE, Raimundo Carlos Silvério.
???metadata.dc.contributor.referee1???: SERRES, Alexandre Jean René.
Keywords: Estágio em Engenharia Elétrica;Estágio na França;Laboratoire des Technologies de la Microélectronique - LTN - Grenoble;Laboratoire de Conception et d’Intégration des Systèmes - LCIS Valence;Tecnologia RFID;Chaves em substrato RO4003C;Chaves RF;Memristor;CBRAM - Conductive Bridging Random-Access Memmory;Conductive Bridging Random-Access Memmory - CBRAM;Internship in Electrical Engineering;Internship in France;RFID technology;RO4003C substrate keys;RF keys;Stage en Génie Electrique;Stage en France;Clés de substrat RO4003C;Clés RF;CBRAM - Mémoire à accès aléatoire à pont conducteur;Mémoire à accès aléatoire à pont conducteur - CBRAM
Issue Date: Mar-2015
Publisher: Universidade Federal de Campina Grande
Citation: SILVA, Thais Luana Vidal de Negreiros da. Realização de chaves RF baseadas na tecnologia Memristor. 2015. 52f. (Relatório de Estágio Integrado) Curso de Bacharelado em Engenharia Elétrica, Centro de Engenharia Elétrica e Informática, Universidade Federal de Campina Grande - Paraíba - Brasil, 2015. Disponível em: http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/19838
???metadata.dc.description.resumo???: Uma das limitações do RFID (Radio Frequency IDentification) sem chip é a impossibilidade de reconfigurar os dados. O objetivo deste estágio foirealizar dispositivos reconfiguráveis e de baixo custo que possam ser utilizados em aplicações de RF. Estes dispositivos são do tipo CBRAM (Conductive Bridging Random-Access Memmory), baseados na tecnologia memristor. Foram utilizados cobre e alumínio como elétrodos, e um dielétrico polimérico entre eles. Como substrato, utilizou-se o RO4003C. As tensões de Set e Reset obtidas foram de aproximadamente -0,5 V e 1 V, respectivamente, após o forming1. A relação entre as resistências de Set e Reset foi de 20 000. A largura de banda dos dispositivos foi de cerca de 2 GHz. Além disso, foram detectados problemas devidos à rugosidade do substrato, à difusão de cobre no polímero e à geometria dos dispositivos.
Abstract: One of the inconveniences of the RFID (Radio Frequency IDentification) chipless is the impossibility to reconfigure the data. The objective of this internship is to study low cost reconfigurable devices that can be used in RF applications. These devices are CBRAM (Conductive Bridging Random-Access Memory) based on the memristor technology. It was used copper and aluminum as electrodes and polymer as dielectric between them. The substrate used is the RO4003C. The Set and Reset voltages obtained are around -0,5 V to +1 V, respectively, after forming. The ratio between the Set and Reset resistances is 20 000. The bandwidth of the devices is about 2 GHz. In addition, problems were found with the roughness of the substrate, the diffusion of copper into the polymer and the geometry of the devices.
Keywords: Estágio em Engenharia Elétrica
Estágio na França
Laboratoire des Technologies de la Microélectronique - LTN - Grenoble
Laboratoire de Conception et d’Intégration des Systèmes - LCIS Valence
Tecnologia RFID
Chaves em substrato RO4003C
Chaves RF
Memristor
CBRAM - Conductive Bridging Random-Access Memmory
Conductive Bridging Random-Access Memmory - CBRAM
Internship in Electrical Engineering
Internship in France
RFID technology
RO4003C substrate keys
RF keys
Stage en Génie Electrique
Stage en France
Clés de substrat RO4003C
Clés RF
CBRAM - Mémoire à accès aléatoire à pont conducteur
Mémoire à accès aléatoire à pont conducteur - CBRAM
???metadata.dc.subject.cnpq???: Engenharia Elétrica.
URI: http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/19838
Appears in Collections:Curso de Bacharelado em Engenharia Elétrica - CEEI - Relatórios de Estágio

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
THAIS LUANA VIDAL DE NEGREIROS DA SILVA - RELATÓRIO DE ESTÁGIO ENG. ELÉTRICA 2015.pdfThais Luana Vidal de Negreiros da Silva - Relatório de Estágio Eng Elétrica 2015.1.26 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.