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  5. Curso de Bacharelado em Engenharia Elétrica - CEEI - Relatórios de Estágio
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dc.creator.IDSILVA, T. L. V. N.pt_BR
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/4380080194627932pt_BR
dc.contributor.advisor1FREIRE, Raimundo Carlos Silvério.
dc.contributor.advisor1IDFREIRE, R. C. S.pt_BR
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/4016576596215504pt_BR
dc.contributor.referee1SERRES, Alexandre Jean René.
dc.description.resumoUma das limitações do RFID (Radio Frequency IDentification) sem chip é a impossibilidade de reconfigurar os dados. O objetivo deste estágio foirealizar dispositivos reconfiguráveis e de baixo custo que possam ser utilizados em aplicações de RF. Estes dispositivos são do tipo CBRAM (Conductive Bridging Random-Access Memmory), baseados na tecnologia memristor. Foram utilizados cobre e alumínio como elétrodos, e um dielétrico polimérico entre eles. Como substrato, utilizou-se o RO4003C. As tensões de Set e Reset obtidas foram de aproximadamente -0,5 V e 1 V, respectivamente, após o forming1. A relação entre as resistências de Set e Reset foi de 20 000. A largura de banda dos dispositivos foi de cerca de 2 GHz. Além disso, foram detectados problemas devidos à rugosidade do substrato, à difusão de cobre no polímero e à geometria dos dispositivos.pt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentCentro de Engenharia Elétrica e Informática - CEEIpt_BR
dc.publisher.initialsUFCGpt_BR
dc.subject.cnpqEngenharia Elétrica.pt_BR
dc.titleRealização de chaves RF baseadas na tecnologia Memristor.pt_BR
dc.date.issued2015-03
dc.description.abstractOne of the inconveniences of the RFID (Radio Frequency IDentification) chipless is the impossibility to reconfigure the data. The objective of this internship is to study low cost reconfigurable devices that can be used in RF applications. These devices are CBRAM (Conductive Bridging Random-Access Memory) based on the memristor technology. It was used copper and aluminum as electrodes and polymer as dielectric between them. The substrate used is the RO4003C. The Set and Reset voltages obtained are around -0,5 V to +1 V, respectively, after forming. The ratio between the Set and Reset resistances is 20 000. The bandwidth of the devices is about 2 GHz. In addition, problems were found with the roughness of the substrate, the diffusion of copper into the polymer and the geometry of the devices.pt_BR
dc.identifier.urihttp://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/19838
dc.date.accessioned2021-07-05T19:08:44Z
dc.date.available2021-07-05
dc.date.available2021-07-05T19:08:44Z
dc.typeTrabalho de Conclusão de Cursopt_BR
dc.subjectEstágio em Engenharia Elétricapt_BR
dc.subjectEstágio na Françapt_BR
dc.subjectLaboratoire des Technologies de la Microélectronique - LTN - Grenoblept_BR
dc.subjectLaboratoire de Conception et d’Intégration des Systèmes - LCIS Valencept_BR
dc.subjectTecnologia RFIDpt_BR
dc.subjectChaves em substrato RO4003Cpt_BR
dc.subjectChaves RFpt_BR
dc.subjectMemristorpt_BR
dc.subjectCBRAM - Conductive Bridging Random-Access Memmorypt_BR
dc.subjectConductive Bridging Random-Access Memmory - CBRAMpt_BR
dc.subjectInternship in Electrical Engineeringpt_BR
dc.subjectInternship in Francept_BR
dc.subjectRFID technologypt_BR
dc.subjectRO4003C substrate keyspt_BR
dc.subjectRF keyspt_BR
dc.subjectStage en Génie Electriquept_BR
dc.subjectStage en Francept_BR
dc.subjectClés de substrat RO4003Cpt_BR
dc.subjectClés RFpt_BR
dc.subjectCBRAM - Mémoire à accès aléatoire à pont conducteurpt_BR
dc.subjectMémoire à accès aléatoire à pont conducteur - CBRAMpt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.creatorSILVA, Thais Luana Vidal de Negreiros da.
dc.publisherUniversidade Federal de Campina Grandept_BR
dc.languageporpt_BR
dc.title.alternativeRealization of RF keys based on Memristor technology.pt_BR
dc.identifier.citationSILVA, Thais Luana Vidal de Negreiros da. Realização de chaves RF baseadas na tecnologia Memristor. 2015. 52f. (Relatório de Estágio Integrado) Curso de Bacharelado em Engenharia Elétrica, Centro de Engenharia Elétrica e Informática, Universidade Federal de Campina Grande - Paraíba - Brasil, 2015. Disponível em: http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/19838pt_BR
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THAIS LUANA VIDAL DE NEGREIROS DA SILVA - RELATÓRIO DE ESTÁGIO ENG. ELÉTRICA 2015.pdfThais Luana Vidal de Negreiros da Silva - Relatório de Estágio Eng Elétrica 2015.1.26 MBAdobe PDFView/Open
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