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Title: Modelos através de redes neurais artificiais sem realimentação para dispositivos e circuitos de RF/micro-ondas.
Other Titles: Models through artificial neural networks without feedback for RF / microwave devices and circuits.
???metadata.dc.creator???: SILVA, Paulo Henrique da Fonseca.
???metadata.dc.contributor.advisor1???: MELO, Marcos Antonio Barbosa de.
???metadata.dc.contributor.referee1???: CONFORTI, Evandro.
???metadata.dc.contributor.referee2???: DÓRIA NETO, Adrião Duarte.
???metadata.dc.contributor.referee3???: CAVALCANTE, Gervásio Protásio dos Santos.
???metadata.dc.contributor.referee4???: ASSIS, Francisco Marcos de.
???metadata.dc.contributor.referee5???: TEJO, Francisco de Assis Ferreira.
Issue Date: Mar-2002
Publisher: Universidade Federal de Campina Grande
Citation: SILVA, Paulo Henrique da Fonseca. Modelos através de redes neurais artificiais sem realimentação para dispositivos e circuitos de RF/micro-ondas. 2002. 185 f. (Tese de Doutorado em Engenharia Elétrica), Curso de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Centro de Engenharia Elétrica e Informática, Universidade Federal da Paraíba – Campus II - Campina Grande - PB - Brasil, 2002.
???metadata.dc.description.resumo???: Esta tese contribui para o desenvolvimento de metodologias através de redes neurais para a modelagem de dispositivos e circuitos de RF/microondas. As aplicações desta técnica neuro-computacional alternativa foram revistas. O principal objetivo foi o estudo das redes neurais sem realimentação. As estratégias de aprendizado supervisionado, baseadas no método do gradiente, foram formuladas para estas redes neurais. Uma nova rede neural, designada RFS. foi proposto com o emprego de funções de ativação sample. O método convencional, EM-ANN, foi aplicado em diversos problemas de modelagem em RF/microondas e na simulação de circuitos não lineares. Na análise transitória de circuitos não lineares, aplicações inéditas de modelos MLPs para transistores MESFET de GaAs em simuladores de circuitos, demonstram a viabilidade do uso de redes neurais, como modelos de dispositivos ativos, para a análise de circuitos no domínio do tempo. Na análise em regime permanente senoidal de circuitos não lineares, aplicou-se as redes de Fourier em conjunto com um método inédito, denominado balanço harmônico simplificado. Modelos neurais baseados no conhecimento empírico foram desenvolvidos. Uma nova técnica de mapeamento de espaço baseado em redes neurais, denominada FDPSMN, foi proposta. Todos os algoritmos formulados, bem como, os métodos numéricos empregados nesta tese foram implementados em Matlab™ e C++. Sugestões para trabalhos futuros foram apresentadas.
Abstract: This thesis contributes to the development of neural network methodologies for modeling of RF/micro\vave devices and circuits. The applications of this alternative neurocomputational technique are reviewed. The study of the feedforward neural networks was the main objective. The supervisioned learning strategies, using the steepest descent method, were formulated for these neural networks. A novel neural network, nominated RFS, was proposed with the use of the sample activation function. The conventional method, EM-ANN. was applyed in many RF/microwave modeling problems and in the nonlinear circuit simulation. In the nonlinear circuit transient analysis, unpublished application examples of MLP models for GaAs MESFET transistors in circuit simulators, demonstrate the viability of the use of neural networks, as active device models, for time domain circuit analysis. In the nonlinear circuit steady-state analysis, was applied the Fourier network in conjunction with unpublished method, nominated simplified harmonic balance. Empirical based neural models were developed. A new neural network based space mapping technique, nominated FDPSMN, was proposed. All fomulated algorithms, as well as, the numericals methods used in this subject were implemented in Matlab™ and C++. Suggestions for further research were presented.
URI: http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/3654
Appears in Collections:Doutorado em Engenharia Elétrica.

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