Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/9403
Title: Sistemas quânticos com massa espacialmente variável induzidos por defeitos topológicos.
Other Titles: Quantum systems with spatially variable mass induced by topological defects.
???metadata.dc.creator???: FREITAS, Mayara de Lima.
???metadata.dc.contributor.advisor1???: FILGUEIRAS, Cleverson.
???metadata.dc.contributor.referee1???: RIBEIRO FILHO, Lincoln Rodrigues.
???metadata.dc.contributor.referee2???: VIEIRA, Marcelo da Silva.
Keywords: Semicondutores - Física;Junções PNs;Defeitos Geométricos;Coeficientes;Geometria;Semiconductors - Physics;PN Junctions;Geometric Defects;Coefficients;Geometry
Issue Date: 27-Aug-2014
Publisher: Universidade Federal de Campina Grande
Citation: FREITAS, Mayara Lima. Sistemas quânticos com massa espacialmente variável induzidos por defeitos topológicos. 2014. 63f. (Dissertação de Mestrado em Física), Programa de Pós-graduação em Física, Centro de Ciências e Tecnologia, Universidade Federal de Campina Grande - Paraíba - Brasil, 2014.
???metadata.dc.description.resumo???: A manipulação dos potenciais que agem sobre o elétron em superfícies semicondutoras a partir da criação de heteroestruturas que geram sistemas de massa variável, tem sido de fundamental importância para o desenvolvimento de nanodispositivos eletrônicos. Tais sistemas podem ser obtidos através da dopagem de materiais ou da inserção de defeitos geométricos. Neste trabalho analisamos os efeitos causados nos coeficientes de reflexão e transmissão que uma deslocação em parafuso acarreta em nanoestruturas cilíndricas semicondutoras. Concentramos nosso estudo nos casos em que as mesmas assemelham-se a um degrau potencial e a um poco quântico, observando as similaridades de comportamento entre os defeitos e as junções Pns dopadas, e suas influencias na dinâmica da partícula.
Abstract: The manipulation of the potential acting on the electron in semiconductor surfaces from creating heterostructures that generate variable mass systems, has been of fundamental importance for the development of nanoelectronic devices. These systems can be obtained by doping materials or the inclusion of geometric defects. This study analyzes the effects of the coefficients of reflection and transmission that shifted cylindrical screw carries in nanostructures semiconductor. We concentrated our study in cases where the same resemble a step potential and quantum wells, noting the similarities between the behavior of defects and PNS doped junctions and their influence on the particle momentum.
Keywords: Semicondutores - Física
Junções PNs
Defeitos Geométricos
Coeficientes
Geometria
Semiconductors - Physics
PN Junctions
Geometric Defects
Coefficients
Geometry
???metadata.dc.subject.cnpq???: Física
URI: http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/9403
Appears in Collections:Mestrado em Física.

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
MAYARA LIMA FREITAS - DISSERTAÇÃO PPGF 2014.pdfMayara Lima Freitas - Dissertação PPGF 2014.6.38 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.