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http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/9403| Title: | Sistemas quânticos com massa espacialmente variável induzidos por defeitos topológicos. |
| Other Titles: | Quantum systems with spatially variable mass induced by topological defects. |
| ???metadata.dc.creator???: | FREITAS, Mayara de Lima. |
| ???metadata.dc.contributor.advisor1???: | FILGUEIRAS, Cleverson. |
| ???metadata.dc.contributor.referee1???: | RIBEIRO FILHO, Lincoln Rodrigues. |
| ???metadata.dc.contributor.referee2???: | VIEIRA, Marcelo da Silva. |
| Keywords: | Semicondutores - Física;Junções PNs;Defeitos Geométricos;Coeficientes;Geometria;Semiconductors - Physics;PN Junctions;Geometric Defects;Coefficients;Geometry |
| Issue Date: | 27-Aug-2014 |
| Publisher: | Universidade Federal de Campina Grande |
| Citation: | FREITAS, Mayara Lima. Sistemas quânticos com massa espacialmente variável induzidos por defeitos topológicos. 2014. 63f. (Dissertação de Mestrado em Física), Programa de Pós-graduação em Física, Centro de Ciências e Tecnologia, Universidade Federal de Campina Grande - Paraíba - Brasil, 2014. Disponível em:http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/9403 |
| ???metadata.dc.description.resumo???: | A manipulação dos potenciais que agem sobre o elétron em superfícies semicondutoras a partir da criação de heteroestruturas que geram sistemas de massa variável, tem sido de fundamental importância para o desenvolvimento de nanodispositivos eletrônicos. Tais sistemas podem ser obtidos através da dopagem de materiais ou da inserção de defeitos geométricos. Neste trabalho analisamos os efeitos causados nos coeficientes de reflexão e transmissão que uma deslocação em parafuso acarreta em nanoestruturas cilíndricas semicondutoras. Concentramos nosso estudo nos casos em que as mesmas assemelham-se a um degrau potencial e a um poco quântico, observando as similaridades de comportamento entre os defeitos e as junções Pns dopadas, e suas influencias na dinâmica da partícula. |
| Abstract: | The manipulation of the potential acting on the electron in semiconductor surfaces from creating heterostructures that generate variable mass systems, has been of fundamental importance for the development of nanoelectronic devices. These systems can be obtained by doping materials or the inclusion of geometric defects. This study analyzes the effects of the coefficients of reflection and transmission that shifted cylindrical screw carries in nanostructures semiconductor. We concentrated our study in cases where the same resemble a step potential and quantum wells, noting the similarities between the behavior of defects and PNS doped junctions and their influence on the particle momentum. |
| Keywords: | Semicondutores - Física Junções PNs Defeitos Geométricos Coeficientes Geometria Semiconductors - Physics PN Junctions Geometric Defects Coefficients Geometry |
| ???metadata.dc.subject.cnpq???: | Física |
| URI: | http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/9403 |
| Appears in Collections: | Mestrado em Física. |
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| MAYARA LIMA FREITAS - DISSERTAÇÃO PPGF CCT 2014.pdf | Mayara Lima Freitas - Dissertação PPGF 2014. | 7.79 MB | Adobe PDF | View/Open |
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