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dc.creator.IDSERRES, G. K. F.pt_BR
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/0137382086087353pt_BR
dc.contributor.advisor1FREIRE, Raimundo Carlos Silvério.
dc.contributor.advisor1BAUDRAND, Henri Marius Germain.
dc.contributor.advisor1IDFREIRE, R. C. S.pt_BR
dc.contributor.advisor1IDBAUDRAND, H. M. G.
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/4016576596215504pt_BR
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/7627294438897299
dc.contributor.referee1D'ASSUNÇÃO, Adaildo Gomes.
dc.contributor.referee2SOUSA, Fernando Rangel de.
dc.contributor.referee3FONTGALLAND, Glauco.
dc.contributor.referee4LIMA, Robson Nunes de.
dc.description.resumoApresenta-se, neste trabalho, uma nova modelagem eletromagnética de uma Via de Acesso Metálica (VAM) utilizando o Método Iterativo Baseado no Conceito de Ondas (WCIP – Wave Concept Iterative Procedure). Mostra-se, a partir da análise das equações de campo em uma VAM descrita em coordenadas cilíndricas e retangulares, que uma VAM pode ser representada a partir de uma estrutura com geometria retangular. Na configuração tratada neste trabalho a via metálica está disposta de forma ortogonal à interface onde o circuito está depositado, com isso o campo transversal é perturbado. Admite-se, então, que vão existir modos TM específicos associados à inserção da VAM que influem no comportamento das ondas incidentes e refletidas. Esses modos, denominados neste trabalho como modos de via, são representados através de uma função ortonormalizada definida a partir do campo transversal que se propaga através da VAM. A formulação do WCIP é apresentada considerando a influência de um modo de via, inicialmente, o modo TM fundamental. Em seguida, essa formulação é expandida para o caso em que se consideram vários modos de via. A validade do modelo apresentado é verificada, primeiramente, a partir do cálculo analítico das admitâncias vista pela fonte para um circuito composto por uma fonte localizada, uma linha de microfia curto-circuitada analisada a partir de uma estrutura unidimensional. Posteriormente, verifica-se o desempenho da modelagem proposta a partir dos resultados de simulação obtidos utilizando o WCIP implementado. O circuito utilizado como referência para os testes efetuados é composto por uma fonte planar, uma linha de microfita e uma VAM. A vantagem da modelagem apresentada é a de possibilitar a simulação de circuitos planares com uma camada utilizando uma formulação 3D do WCIP.pt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentCentro de Engenharia Elétrica e Informática - CEEIpt_BR
dc.publisher.programPÓS-GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA ELÉTRICApt_BR
dc.publisher.initialsUFCGpt_BR
dc.subject.cnpqEngenharia Elétrica
dc.titleModelagem de uma via de acesso metálica utilizando o método iterativo baseado no conceito de ondas.pt_BR
dc.date.issued2013-11-29
dc.description.abstractThis work presents a new electromagnetic modeling of a via-hole using a Wave Concept Iterative Procedure (WCIP). From the analysis of the field equations in a viahole described in cylindrical and rectangular coordinates, it is shown that a via-hole can be represented as a structure with rectangular geometry. As the via-hole is disposed orthogonally to the interface, the transverse field is lightly perturbed. Therefore, there will be specific TM modes associated with the insertion of the via-hole influencing the incident and reflected waves. These modes, called in this work “vias modes” are represented by a function defined from the tangential fields that propagates through the via-hole. The formulation of the WCIP is presented considering the influence of one via’s mode, the fundamental TM mode. Then, this formulation is expanded to the case where several vias modes are considered. The validity of the model presented is verified, first, from the analytical calculation of the admittance seen by the source from a circuit composed of a localized source and a short-circuited microstrip line analyzed from a one-dimensional structure. Afterwards, the performance of the proposed model was verified from the simulation results obtained using the WCIP. The circuit used as reference for the simulations performed is composed by a planar source, a microstrip line and a via-hole. The advantage of the modeling presented herein allows the simulation of planar circuits with a layer using a 3D formulation with the WCIP.pt_BR
dc.identifier.urihttp://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/9560
dc.date.accessioned2019-11-26T19:53:33Z
dc.date.available2019-11-26
dc.date.available2019-11-26T19:53:33Z
dc.typeTesept_BR
dc.subjectWave Concept Iterative Procedure (WCIP)
dc.subjectVia de Acesso Metálica (VAM)
dc.subjectModos TM
dc.subjectConstante de Propagação
dc.subjectCampo Eletromagnético
dc.subjectModelagem Eletromagnética
dc.subjectMetallic Access Way (VAM)
dc.subjectTM Modes
dc.subjectPropagation Constant
dc.subjectElectromagnetic Field
dc.subjectElectromagnetic Modeling
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.creatorSERRES, Georgina Karla de Freitas.
dc.publisherUniversidade Federal de Campina Grandept_BR
dc.languageporpt_BR
dc.title.alternativeModeling of a metallic access road using the iterative method based on the concept of waves.pt_BR
dc.identifier.citationSERRES, Georgina Karla de Freitas. Modelagem de uma via de acesso metálica utilizando o método iterativo baseado no conceito de ondas. 2013. 124f. (Tese) Doutorado em Engenharia Elétrica, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Centro de Engenharia Elétrica e Informática, Universidade Federal de Campina Grande – Campina Grande - Paraíba - Brasil, 2013.pt_BR
Appears in Collections:Doutorado em Engenharia Elétrica.

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GEORGINA KARLA DE FREITAS SERRES - TESE PPGEE 2013.pdfGeorgina Karla de Freitas Serres- Tese de Doutorado PPGEE 20131.53 MBAdobe PDFView/Open


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