Realização de chaves RF baseadas na tecnologia Memristor.

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dc.creator.ID	SILVA, T. L. V. N.	pt_BR
dc.creator.Lattes	http://lattes.cnpq.br/4380080194627932	pt_BR
dc.contributor.advisor1	FREIRE, Raimundo Carlos Silvério.
dc.contributor.advisor1ID	FREIRE, R. C. S.	pt_BR
dc.contributor.advisor1Lattes	http://lattes.cnpq.br/4016576596215504	pt_BR
dc.contributor.referee1	SERRES, Alexandre Jean René.
dc.description.resumo	Uma das limitações do RFID (Radio Frequency IDentification) sem chip é a impossibilidade de reconfigurar os dados. O objetivo deste estágio foirealizar dispositivos reconfiguráveis e de baixo custo que possam ser utilizados em aplicações de RF. Estes dispositivos são do tipo CBRAM (Conductive Bridging Random-Access Memmory), baseados na tecnologia memristor. Foram utilizados cobre e alumínio como elétrodos, e um dielétrico polimérico entre eles. Como substrato, utilizou-se o RO4003C. As tensões de Set e Reset obtidas foram de aproximadamente -0,5 V e 1 V, respectivamente, após o forming1. A relação entre as resistências de Set e Reset foi de 20 000. A largura de banda dos dispositivos foi de cerca de 2 GHz. Além disso, foram detectados problemas devidos à rugosidade do substrato, à difusão de cobre no polímero e à geometria dos dispositivos.	pt_BR
dc.publisher.country	Brasil	pt_BR
dc.publisher.department	Centro de Engenharia Elétrica e Informática - CEEI	pt_BR
dc.publisher.initials	UFCG	pt_BR
dc.subject.cnpq	Engenharia Elétrica.	pt_BR
dc.title	Realização de chaves RF baseadas na tecnologia Memristor.	pt_BR
dc.date.issued	2015-03
dc.description.abstract	One of the inconveniences of the RFID (Radio Frequency IDentification) chipless is the impossibility to reconfigure the data. The objective of this internship is to study low cost reconfigurable devices that can be used in RF applications. These devices are CBRAM (Conductive Bridging Random-Access Memory) based on the memristor technology. It was used copper and aluminum as electrodes and polymer as dielectric between them. The substrate used is the RO4003C. The Set and Reset voltages obtained are around -0,5 V to +1 V, respectively, after forming. The ratio between the Set and Reset resistances is 20 000. The bandwidth of the devices is about 2 GHz. In addition, problems were found with the roughness of the substrate, the diffusion of copper into the polymer and the geometry of the devices.	pt_BR
dc.identifier.uri	http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/19838
dc.date.accessioned	2021-07-05T19:08:44Z
dc.date.available	2021-07-05
dc.date.available	2021-07-05T19:08:44Z
dc.type	Trabalho de Conclusão de Curso	pt_BR
dc.subject	Estágio em Engenharia Elétrica	pt_BR
dc.subject	Estágio na França	pt_BR
dc.subject	Laboratoire des Technologies de la Microélectronique - LTN - Grenoble	pt_BR
dc.subject	Laboratoire de Conception et d’Intégration des Systèmes - LCIS Valence	pt_BR
dc.subject	Tecnologia RFID	pt_BR
dc.subject	Chaves em substrato RO4003C	pt_BR
dc.subject	Chaves RF	pt_BR
dc.subject	Memristor	pt_BR
dc.subject	CBRAM - Conductive Bridging Random-Access Memmory	pt_BR
dc.subject	Conductive Bridging Random-Access Memmory - CBRAM	pt_BR
dc.subject	Internship in Electrical Engineering	pt_BR
dc.subject	Internship in France	pt_BR
dc.subject	RFID technology	pt_BR
dc.subject	RO4003C substrate keys	pt_BR
dc.subject	RF keys	pt_BR
dc.subject	Stage en Génie Electrique	pt_BR
dc.subject	Stage en France	pt_BR
dc.subject	Clés de substrat RO4003C	pt_BR
dc.subject	Clés RF	pt_BR
dc.subject	CBRAM - Mémoire à accès aléatoire à pont conducteur	pt_BR
dc.subject	Mémoire à accès aléatoire à pont conducteur - CBRAM	pt_BR
dc.rights	Acesso Aberto	pt_BR
dc.creator	SILVA, Thais Luana Vidal de Negreiros da.
dc.publisher	Universidade Federal de Campina Grande	pt_BR
dc.language	por	pt_BR
dc.title.alternative	Realization of RF keys based on Memristor technology.	pt_BR
dc.identifier.citation	SILVA, Thais Luana Vidal de Negreiros da. Realização de chaves RF baseadas na tecnologia Memristor. 2015. 52f. (Relatório de Estágio Integrado) Curso de Bacharelado em Engenharia Elétrica, Centro de Engenharia Elétrica e Informática, Universidade Federal de Campina Grande - Paraíba - Brasil, 2015. Disponível em: http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/19838	pt_BR